Малошумящие унч. Малошумящий микрофонный усилитель HaLA3161. Компромисс между шумами и мощностью

Some cookies are required for secure log-ins but others are optional for functional activities. Our data collection is used to improve our products and services. We recommend you accept our cookies to ensure you’re receiving the best performance and functionality our site can provide. For additional information you may view the . Read more about our .

The cookies we use can be categorized as follows:

Strictly Necessary Cookies: These are cookies that are required for the operation of analog.com or specific functionality offered. They either serve the sole purpose of carrying out network transmissions or are strictly necessary to provide an online service explicitly requested by you. Analytics/Performance Cookies: These cookies allow us to carry out web analytics or other forms of audience measuring such as recognizing and counting the number of visitors and seeing how visitors move around our website. This helps us to improve the way the website works, for example, by ensuring that users are easily finding what they are looking for. Functionality Cookies: These cookies are used to recognize you when you return to our website. This enables us to personalize our content for you, greet you by name and remember your preferences (for example, your choice of language or region). Loss of the information in these cookies may make our services less functional, but would not prevent the website from working. Targeting/Profiling Cookies: These cookies record your visit to our website and/or your use of the services, the pages you have visited and the links you have followed. We will use this information to make the website and the advertising displayed on it more relevant to your interests. We may also share this information with third parties for this purpose.

дипломная работа

2.1 Выбор схемы малошумящего усилителя

В соответствии с выше приведенными соображениями необходимо, чтобы малошумящий усилитель отвечал следующим техническим требованиям:

коэффициент усиления не менее 20 дБ;

коэффициент шума не более 3 дБ;

динамический диапазон не менее 90 дБ,

центральная частота 808 МГц.

кроме этого имел высокую стабильность характеристик, высокую надежность работы, малые габариты и вес.

Принимая во внимание предъявляемые к малошумящему усилителю требования, проведем рассмотрение возможных вариантов решения поставленной задачи. При рассмотрении возможных вариантов учтем те условия, в которых будет эксплуатироваться приемо-передающий модуль (размещение на борту летательного аппарата и воздействие внешних факторов, таких как перепад температур, вибрации, давление и т.д.). Проанализируем малошумящие усилители, выполненные с применением различной элементной базы.

Самыми малошумящими из усилителей СВЧ являются в настоящее время квантовые парамагнитные усилители (мазеры), которые характеризуются чрезвычайно низкими шумовыми температурами (менее 20 о К) и, как следствие, весьма высокой чувствительностью. Однако в состав квантового усилителя входит криогенная система охлаждения (до температуры жидкого гелия 4,2 о К), имеющая большие габариты и массу, высокую стоимость, а также громоздкую магнитную систему для создания сильного постоянного магнитного поля. Все это ограничивает область применения квантовых усилителей уникальными радиосистемами - космической связи, дальней радиолокации и т.п.

Необходимость миниатюризации радиоприемных устройств СВЧ диапазона, повышения их экономичности, уменьшения стоимости привели к интенсивному применению малошумящих усилителей на полупроводниковых приборах, к которым относятся полупроводниковые параметрические, на туннельных диодах и транзисторные усилители СВЧ.

Полупроводниковые параметрические усилители (ППУ) работают в широком диапазоне частот (0,3…35ГГц), имеют полосы пропускания от долей до нескольких процентов от центральной частоты (типичные значения 0,5…7%, но могут быть получены полосы до 40%); коэффициент передачи одного каскада достигает 17…30дБ, динамический диапазон входных сигналов 70…80дБ. В качестве генераторов накачки используются генераторы на лавинно-пролетных диодах и на диодах Ганна, а также на транзисторах СВЧ (с умножением и без умножения частоты). Полупроводниковые параметрические усилители являются самыми малошумящими из полупроводниковых и вообще из всех неохлаждаемых усилителей СВЧ. Их шумовая температура находится в интервале от десятков (на дециметровых волнах) до сотен (на сантиметровых волнах) градусов Кельвина. При глубоком охлаждении (до 20 о К и ниже) по шумовым свойствам они сравнимы с квантовыми усилителями. Однако система охлаждения увеличивает габариты, массу, потребляемую мощность и стоимость ППУ. Поэтому охлаждаемые ППУ находят применение в основном в наземных радиосистемах, где требуются высокочувствительные радиоприемные устройства, а габариты, масса, потребляемая мощность не столь существенны.

К достоинствам ППУ по сравнению с усилителями на туннельных диодах и транзисторах СВЧ помимо лучших шумовых свойств следует отнести способность работать в диапазоне более высоких частот, большее усиление одного каскада, возможность быстрой и простой электронной перестройки по частоте (в пределах 2…30%). Недостатками ППУ являются наличие СВЧ-генератора накачки, меньшая полоса пропускания, большие габариты и масса, значительно большая стоимость, в отличие от транзисторных усилителей СВЧ.

Усилители на туннельных диодах имеют по сравнению с другими полупроводниковыми усилителями меньшие габариты и массу, определяемые главным образом габаритами и массой ферритовых циркуляторов и вентилей, меньший уровень потребляемой мощности и широкую полосу пропускания. Они работают в диапазоне частот 1…20ГГц, имеют относительную полосу пропускания 1,7…65% (типичные значения 3,5…18%), коэффициент передачи одного каскада 6…20дБ, коэффициент шума 3,5…4,5дБ на дециметровых волнах и 4…7дБ на сантиметровых, динамический диапазон входных сигналов составляет 50…90дБ. Усилители на туннельных диодах применяются в основном в устройствах, где на малой площади необходимо разместить большое количество легких и малогабаритных усилителей, например в активных фазированных антенных решетках. Однако в последнее время усилители на туннельных диодах из-за присущих им недостатков (сравнительно высокий коэффициент шума, недостаточный динамический диапазон, малая электрическая прочность туннельного диода, сложность обеспечения устойчивости, необходимость развязывающих устройств) интенсивно вытесняются транзисторными усилителями СВЧ.

Основные преимущества полупроводниковых малошумящих усилителей - малые габариты и масса, малое энергопотребление, большой срок службы, возможность построения интегральных схем СВЧ - позволяют использовать их в активных фазированных антенных решетках и в бортовой аппаратуре. Причем наибольшую перспективу имеют транзисторные усилители СВЧ.

Успехи в развитии физики и технологии полупроводников сделали возможным создание транзисторов, обладающих хорошими шумовыми и усилительными свойствами и способных работать в диапазоне СВЧ. На основе этих транзисторов были разработаны СВЧ малошумящие усилители.

Транзисторные усилители в отличие от усилителей на полупроводниковых параметрических и туннельных диодах являются не регенеративными, поэтому обеспечить их устойчивую работу значительно проще, чем, например, усилителей на туннельных диодах.

В МШУ СВЧ применяются малошумящие транзисторы, как биполярные (германиевые и кремниевые), так и полевые с барьером Шоттки (на кремнии и арсениде галлия). Германиевые биполярные транзисторы позволяют получить меньший коэффициент шума, чем кремниевые, однако последние более высокочастотны. Полевые транзисторы с барьером Шоттки превосходят биполярные транзисторы по усилительным свойствам и могут работать на более высоких частотах, особенно арсенид-галлиевые транзисторы. Шумовые характеристики на относительно низких частотах лучше у биполярных транзисторов, а на более высоких - у полевых. Недостатком полевых транзисторов являются высокие входное и выходное сопротивление, что затрудняет широкополосное согласование.

Изложенные выше соображения позволяют наметить стратегию синтеза малошумящего усилителя на полевом транзисторе, в монолитном интегральном исполнении.

Как было выбрано ранее МШУ построим на основе модуля MGA - 86563. Схема электрическая принципиальная приведена на рисунке 2.1. Типовая схема включения приведена на рисунке 2.2: Рисунок 2.1 Схема электрическая принципиальная MGA-86563. Рисунок 2...

Высокочастотный приемный тракт

В результате проведенной работы был исследован малошумящий усилитель MGA86563. Исследование АЧХ МШУ производилось с помощью стенда СНПУ-135, прибора для исследования АЧХ Х1-42.Схема соединений для измерения АЧХ приведена на рисунке 4...

Измерительный преобразователь переменного напряжения в постоянное

Для реализации схемы выпрямителя применим сдвоенный быстродействующий ОУ с полевыми транзисторами на входе типа КР140УД282. Его параметры приведены в табл.5, а схема включения - на рис.8...

Малошумящий интегральный усилитель

Моделирование в системе MICRO-CAP измерительных преобразователей на основе датчиков температуры

Исходя из здания необходимо построить трехпроводную схему (2 варианта) измерения температуры при помощи ТПС с использованием источника тока(см. рис 6.2.1). № Схема Напряжение на входе ИУ при 2 Рис.6.2.1...

Проектирование усилительной части устройства

Воспользуемся схемой, представленной на рис. 5, для расчета усилителя мощности. При расчете УМ заданными величинами являются: a). Номинальная мощность в нагрузке Рн = 0,4 Вт; b). Сопротивление нагрузки Rн = 100 Ом...

Процесс моделирования работы коммутационного узла

Так как синфазная помеха не превышает 10В и коэффициент усиления не большой, то достаточно будет взять простейший дифференциальный усилитель. Схема простейшего дифференциального усилителя представлена на рисунке 5...

Разработка измерительного преобразователя

Рисунок 2 Предварительный усилитель (ПУ) представляет собой операционный усилитель (ОУ) с отрицательной обратной связью. Схема включения (ПУ) показана на рисунке 2...

Расчёт импульсного усилителя

Импульсный усилитель напряжения является предварительным усилителем сигнала, обеспечивающим нормальную работу УМ...

Синтез инвертирующего усилителя

Схема инвертирующего усилителя с отрицательной обратной связью: Рисунок 1 - Базовая схема инвертирующего ОУ с ООС...

Для удобства разработки и проведения расчетов блоки ПУ, УНЧ и УВЧ2 были объединены в общую схему. В основу построения были взяты микросхема 140-УД20А и биполярные транзисторы КТ817А...

Сравнительная характеристика технических данных радиостанций

На рисунке 7.5 приведена электрическая принципиальная схема предварительного усилителя, усилителя низкой частоты и усилителя высокой частоты УВЧ2. В основе схемы лежит микросхема 140-УД20А, которая состоит из операционных усилителей (Da1...

Схема микрофонного усилителя

Определим полный коэффициент усиления, исходя, из которого выбирается количество усилительных каскадов где полный коэффициент усиления; эффективное номинальное напряжение на выходе; эффективное номинальное напряжение на входе...

Широкополосный усилитель

Начиная разработку усилителя необходимо руководствоваться общими соображениями экономической целесообразности его производства (минимизация активных приборов, элементов и комплектующих изделий по их количеству...

Существует немало усилителей, для которых одним из основных необходимых параметров является требование обеспечить минимальный шум на выходе. Обычно такие схемы используются для усиления сигналов от различных датчиков, а также в приемниках прямого преобразования, где основное усиление осуществляется на низких частотах. Увеличение шумов приводит к невозможности различать слабые сигналы на фоне шума.

Внутренние шумы усилителя возникают при прохождении тока через пассивные и активные элементы схемы.
От построения схемы (схемотехники) также в немалой степени зависят шумовые характеристики. При разработке усилителя, имеющего большое отношение сигнал/шум, кроме оптимального выбора вида схемы, важно правильно подобрать элементную базу и оптимизировать режим работы каскадов.

Выбор компонентов схемы

В реальном усилителе источником внутренних шумов являются:
1) тепловые и токовые шумы резисторов;
2) фликкер-шумы конденсаторов, диодов и стабилитронов;
3) флуктуационные шумы активных элементов (транзисторов);
4) вибрационные и контактные шумы.

Резисторы

Собственные шумы резисторов складываются из тепловых и токовых шумов.

Тепловые шумы вызваны движением электронов в токопро-водящем веществе, из которого изготовлен резистор (этот шум увеличивается с увеличением температуры). Если на резистор не действует напряжение, то ЭДС шумов на нем (в мкВ) определяется из соотношения:

Eш=0,0125 x f x R,
где f -полоса частот в кГц; R -сопротивление в кОм.

Токовые шумы возникают при протекании через резистор тока. В этом случае шумовое напряжение появляется из-за эффекта флуктуации контактных сопротивлений между проводящими частицами материала. Его величина линейно зависит от приложенного напряжения. Поэтому шумовые свойства резисторов характеризуются уровнем шума, представляющим собой отношение действующего значения переменной составляющей напряжения шумов Em (мкВ) к приложенному напряжению U (В): Em/U.

Частотный спектр обоих видов шумов непрерывный ("белый шум"). И если у теплового шума он равномерно распределен до очень высоких частот, то у токового шума начинает спадать уже примерно с 10 МГц.

Общая величина шума пропорциональна квадратному корню сопротивления, поэтому для его уменьшения величину сопротивлений в схеме надо также уменьшать.
Иногда с целью снижения шумов, вызванных резисторами, прибегают к их параллельному (или последовательному) включению, а также устанавливают большей мощности, чем это требуется для работы. Кроме того, можно применять из них те типы, в которых за счет технологии изготовления этот параметр меньше.

У непроволочных резисторов токовые шумы значительно больше тепловых. Общий уровень шума для разных типов резисторов может находиться в диапазоне от 0,1 до 100 мкВ/В.

Для сравнения различных резисторов (постоянных и подстроечных из группы СП) максимальные значения шумов приведены в таблице 1

Тип резисторов Технологическое исполнение Уровень шума, мкВ/В БЛТ буроуглеродистые 0,5 С2-13 С2-29В металлодиэлектрические 1,0 С2-50 металлодиэлектрические 1,5 МЛТ ОМЛТ С2-23С2-33 металлодиэлектрические 1...5 С2-26 металлооксидные 0,5 СП3-4
СП3-19
СП3-23 пленочные компазиционные 47...100
25...47
25...47
Таблица 1 - Шумовые свойства резисторов

Как видно из таблицы, подстроенные резисторы значительно больше шумят. По этой причине их лучше применять с небольшими номиналами или же вообще исключить из схемы.
Шумовые свойства резисторов можно использовать для выполнения широкополосного генератора шума.

В качестве рекомендаций по выбору резисторов для сборки малошумящего усилителя можно отметить, что наиболее удобно использовать типы: С2-26, С2-29В, С2-33 и С1-4 (бескорпусное чип-исполнение). В последнее время в продаже появились малошумящие импортные металлодиэлектрические резисторы, по конструкции аналогичные С2-23, но с более низким коэффициентом шума (0,2 мкВ/В).

Существенно снизить шумы у резисторов можно путем их сильного охлаждения, но такой способ слишком дорогой и применяется очень редко.

Конденсаторы

В конденсаторах источником фликкершумов является ток утечки. Наибольшие токи утечки имеют оксидные конденсаторы большой емкости. Причем утечка увеличивается с увеличением емкости и снижается с увеличением допустимого номинального рабочего напряжения.

Справочные данные по наиболее распространенным оксидным конденсаторам приведены в таблице 29.
Наименьшие токи утечки среди полярных конденсаторов имеют: К53-1А, К53-18, К53-16, К52-18, К53-4 и другие.
Оксидные конденсаторы, установленные на входе в качестве разделительных, способны существенно увеличить шумы усилителя. Поэтому желательно избегать их применения, заменяя на пленочные (К10-17, К73-9, К73-17, КМ-6 и др.), хотя это и приведет к существенному увеличению размеров конструкции.

Тип конденсатора Технология изготовления Рабочая температура, С Ток утечки, мкА К50-6
К50-16
К50-24
алюминиевые оксидно-электролитические -10...+85
-20...+70
-25...+70 4...5000
4...5000
18...3200 К52-1
К52-2
К52-18 танталовые оксидные объемно-пористые -60...+85
-50...+155
-60...+155 1,2...8,5
2...30
1...30 К53-1
К53-1А
К53-18 танталовые оксидно-полупроводниковые -80...+85
-60...+125
-60...+125 2...5
1...8
1...63
Таблица 2 - Справочные параметры конденсаторов

Диоды и стабилитроны

При прямом прохождении тока шумы у диодов минимальны. Наибольший шум обеспечивает ток утечки (при действии обратного напряжения), и чем он будет меньше, тем лучше. Довольно большие шумы у стабилитронов. Это свойство даже иногда используют для выполнения простейших генераторов шума для детских игрушек (имитаторы шума прибоя, звуков костра и др. -Л16, Л17). Для получения максимального шума в таких схемах стабилитроны работают на малых токах (с большим добавочным резистором).

Трнзисторы

В самом транзисторе основными видами шумов являются тепловой и генерационно-рекомбинационный, спектральная плотность мощности которых не зависит от частоты.

Чтобы снизить уровень шума, для работы во входных каскадах у нас в стране обычно применяют малошумящие биполярные транзисторы с нормируемым коэффициентом шума (Кш). Такими являются: (п-р-п) КТ3102Д(Е), КТ342В и (p-n-р) КТ3107Е(Ж, Л) и ряд др. Тут следует отметить, что применение малошумящих высокочастотных биполярных транзисторов в диапазоне низких частот, как правило, бывает нецелесообразно. У таких транзисторов нормируется коэффициент шума только в области высоких частот, а в диапазоне ниже 100 кГц они могут шуметь не меньше любых других. Кроме того, у таких транзисторов возможно проявление склонности к возбуждению (автогенерации).

При необходимости получить большое входное сопротивление во входном каскаде усилителя нередко применяют полевой транзистор КП303В(А). Он изготовлен с затвором на основе р-n перехода (каналом n-типа) и имеет нормируемый коэффициент шума.

Контактные шумы

возникают при некачественной пайке (с нарушением температурного режима) или в местах соединения разъемов. По этой причине не рекомендуется выполнять подключение входных цепей малошумящего усилителя через разъемные соединения. Я также встречался с ситуацией, когда транзисторы после повторной пайки больше шумели в той же самой схеме.

Вибрационные шумы

могут проявляться при эксплуатации устройства на подвижных объектах или в местах с повышенной вибрацией от работающего оборудования. Они возникают из-за передачи механических колебаний на обкладки конденсаторов, между которыми имеется разность потенциалов (так называемый "пьезо-микрофонный эффект"). Это наблюдается даже в малогабаритных керамических конденсаторах (К10, К15 и др.) повышенной емкости (более 0,01 мкФ). Особенно сильно такая помеха может проявляться в разделительных конденсаторах, установленных на входе усилителя. Сигнал помехи при механических вибрациях имеет форму коротких остроконечных импульсов, спектр которых находится в диапазоне низких частот. Для борьбы с такого вида помехами можно применять амортизацию всей конструкции. В оксидных конденсаторах эти помехи не возникают.

При выборе деталей для сборки малошумящей схемы необходимо принимать во внимание их срок изготовления. Производитель гарантирует параметры только в течение определенного срока хранения. Это обычно не более 8... 15 лет. Со временем происходят процессы старения, проявляющиеся в снижении сопротивления изоляции, у конденсаторов уменьшается емкость и возрастают токи утечки. Особенно сильно меняют свои характеристики со временем оксидные конденсаторы. По этой причине лучше, по возможности, избегать их применения в цепях прохождения сигнала.

Всем привет.

При сборке малошумящих микрофонных усилков высокого качества радиолюбители чаще всего применяют схемные решения на основе дискретных биполярных либо полевых транзисторах, или же малошумящих операционных усилителях. Качественные усилки для микрофонов на транзисторах чаще всего довольно сложные и не дают гарантии на стабильную повторяемость параметров, а чтобы собрать усилитель на малошумящих ОУ может не быть под рукой нужных микросхем либо их цены окажутся больше приемлемых.

Усилитель высокого качества для стереомикрофона возможно изготовить не только на специальных малошумящих транзисторах (рис. 1,2), интегральных операционных усилителях (ОУ) либо специализированных ИМС, но и на том, что у радиолюбителей чаще всего лежит в избытке, но мало кто додумывается о потенциале некоторых «нераспространённых» микросхем. Имеются ввиду интегральные микросхемы - специализированные малошумящие усилители воспроизведения для кассетных, а также катушечных магнитофонов аналоговой записи звука. Бытовая магнитная запись звука быстро уходит в прошлое, уже отработали своё время множество импортных магнитол и автомагнитол, и при разборке их на запчасти микросхемы интегральных усилителей воспроизведения чаще всего остаются ненужными.

На основе одной из таких микросхем LA3161

вы можете изготовить простой стереоусилитель для микрофона с однополярным питанием, который не требует настройки, всего за два часа. Принципиальная схема этого усилка представлена ниже.

Данное устройство представляет собой малошумящий стереофонический усилок, который имеет коэффициент передачи по напряжению примерно 100. Номинальное напряжение для питания этого усилителя 9 Вольт, ток в покое приблизительно 6 мА, номинальное напряжение на входе 5 мВ, а номинальное напряжение на выходе 500 мВ при коэффициенте гармонических искажений 0,05%. Сопротивление на выходе примерно 100 кОм. Микросхема может работать при питании 2,5 - 16 Вольт. Но при питании меньше 7 Вольт её главные характеристики ухудшаются.

Микросхема питается от источника стабильного напряжения проходя через LC - фильтр C1L1C2C3. В частном случае в роли источника питания можно применить гальваническую батарею «Крона» либо её аналог.

Коэффициент передачи усилка зависит от соотношения сопротивления резисторов R5/R3 и R6/R4. Если есть необходимость в большом усилении по напряжению сопротивление резисторов R3 и R4 можете понизить в 10 - 20 раз. В роли микрофонов ВМ1 и ВМ2 можете использовать как динамические, так и конденсаторные микрофоны. Если отсутствует в конденсаторном либо электретном микрофоне истоковый повторитель, его можете ввести в усилитель, к примеру, поставив в каждом канале по микросхеме К513УЕ1. Конденсаторы С4 и С5 не дают проникать на вход различным радиопомехам. Резисторы R9 и R10 устраняют возможное появление «щелчка», когда происходит подключение микрофонного усилителя к аппаратуре звуковоспроизведения, а также нужны для правильной поляризации обкладок оксидных конденсаторов С10 и С11. Функциональная схема микросхемы LA3161 представлена на рисунке ниже. Если использовать только один из двух усилителей микросхемы соответствующий неинвертирующий вход (вывод 1 либо 8) нужно соединять с общим проводом.

Усилок можете собрать на плате размерами 70?27 мм (смотрите фото). В левой части платы нужно оставить свободное место, чтобы можно было установить дополнительные элементы, которые возможно потребуются, для того чтобы согласовать некоторые динамические микрофоны с входом усилителя.

Резисторы можете применить типа МЛТ, С2-23 либо их аналоги. При этом лучше учесть, то что чем выше мощность резисторов одного и того же типа, тем ниже будет их уровень собственных шумов. Если коэффициент усиления больше 500 резисторы R1 - R6 лучше поставить с мощностью 0,5 - 1 Ватт. Неполярные конденсаторы - импортные малогабаритные плёночные либо керамические. Оксидные конденсаторы С6, С7 должны иметь наименьший ток утечки. В случае если среди обыкновенных алюминиевых не удаётся найти высококачественные конденсаторы, то можете применить керамические либо плёночные конденсаторы с ёмкостью 4,7 мкФ. Дроссель L1 может быть любой малогабаритный маломощный с индуктивностью больше 100 мкГн. Если напряжение питания 12 Вольт и больше, то последовательно с ним лучше будет подключить резистор сопротивлением 1 кОм. Микросхему LA3161 можете поменять на LA3160.

Эти две микросхемы выпускает фирма Sanyo в корпусе SIP-8, у них одинаковые цоколевки выводов и похожие параметры.Микросхемы малошумящих усилков воспроизведения магнитной звукозаписи с отключенными цепями коррекции можете применять не только в роли микрофонных усилителей, но и также в узлах предварительных нормирующих усилителей, пассивных регуляторов тембра, громкости или в качестве усилителей сигналов с пьезодатчиков и пиродетекторов.

Всего вам доброго.

Усилители, основное предназначение которых - усиление слабых сигналов с минимальными собственными шумами на выходе устройства, называют малошумящими.

Такие усилители обычно используют во входных цепях - радиоприемников, звуковоспроизводящей радиоаппаратуры, например, в микрофонных усилителях, в – устройствах, воспринимающих сигналы от высокочувствительных датчиков, в измерительной и медицинской аппаратуре.

КР538УНЗ (близкий аналог микросхемы LM387N фирмы NSC, с иной цоколевкой) представляет собой сверхмалошумящий низкой частоты, рис. ЗОЛ, табл. 30.1 . Выпускается КР538УНЗ (К538УНЗ) в корпусах трех разновидностей. Ниже приведены примеры использования микросхемы, выполненной в корпусе DIP8.

Рис. ЗОЛ. Типовая включения микросхемы КР538УНЗ

Верхняя частотная граница усиливаемых сигналов при отключении потенциометра R1 (рис. 30.1) достигает 3 МГц. Коэффициент усиления в пределах от 100-350 до 3000 можно плавно регулировать подстройкой этого потенциометра. Одновременно в той же пропорции снижается верхняя граница полосы усиливаемых частот. Рекомендуемое напряжение питания - 6 В (5,0-7,5 В) при токе потребления до 5 мА. Работоспособность микросхемы сохраняется при снижении напряжения питания до 3 В. Максимальное выходное напряжение для разновидности микросхемы с литерой «А» достигает 0,5 В, для «Б» - 0,3 В при выходном токе до 3 мА; нагрузки - 2 кОм. Максимальное входное напряжение - менее 0,2 В. Нормированное напряжение шумов на частоте 1 кГц при сопротивлении источника сигнала до 500 Ом не превышает 2 нВ/Гц~ 0,5 . Коэффициент гармоник при выходном напряжении до 0, 1 В - менее 1,5%.

Рис. 30.2. Упрощенный вариант включения микросхемы КР538УНЗ

Рис. 30.3. Вариант на микросхеме КР538УНЗ

Характеристики на микросхеме КР538УНЗ при варьировании напряжения питания

Таблица 30.1

Параметр

Уровень шума, дБ

Рис. 30.4. малошумящего с цепями частотной коррекции

Рис. 30.5. малошумящего магнитофонного усилителя на микросхеме КР538УНЗ

Максима;1ьно упрощенный вариант включения микросхемы КР538УНЗ приведен на рис. 30.2, рис. 30.3 .

На микросхеме КР538УНЗ с дополнительно встроенными цепями частотной коррекции показана на рис. 30.4.

Малошумящего усилителя портативного магнитофона приведена на рис. 30.5 . Учитывая специфику работы устройств, вместо регулирующего коэффициент усиления потенциометра (R1, рис. 30.1) включен корректирующий (L1C2), настроенный на частоту 12,5 кГц.

Программируемый малошумящий ОУ, предназначенный для применения в бытовой радиоэлектронной аппара-

Есть вопросы?

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: